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Memoria ROM
Read Only Memory
Fue desarrollada por Toshiba, con la idea de sustituir a los discos duros.
Es una memoria a la cual no se le pueden cambiar o actualizar los datos.
Tenía también la caraacterística de ser no volátil, ya que al apagar el ordenador la información se borraba. -
Memoria PROM
Programmable Read Only Memory
Fue desarrollada por Wen Tsing Chow, quien estaba en las fuerzas armadas de Estados Unidos.
Eran programadas por medio de un dispositivo que les daba una corriente de 12V , proceso en el cual los diodos del integrado se quemaban, colocándoles un valor de 0. -
EPROM
Erasable and Programmable Read-only Memory
Fue inventada por el ingeniero Dov Frohman, asociado a Intel
El mecanismo de programación que utiliza es la exposición de electrones a voltajes altos, específicamente entre 12 y 25 V.
El método de borrado es mediante la exposiión de esta a una luz Ultra Violeta
El tiempo de lectura estimado es de 200 ns, el tiempo de escritura es menor a 100 us y el tiempo de borrado es de 20 minutos.
La vida de utilidad va desde los 10 añoos en adelante. -
EEPROM
Electrically Erasable and Reprogrammable
Fue creada por George Perlegos, Intel. El mecanismo para programarla es por pulsos electricos que exciten a los electrones. Los datos sn borrados mediante "tunneling", que consiste en trasnsportar los electrones a la capa aislante para vajarle la carga. El tiempo de escritura de este chip es menor a 100us, el de lectura es de 200ns y el proceso de borrado tarda 1seg, este proceso se puede llevar a cabo en el chip entero o por sectores. -
Memoria Flash
Fue creada por Fujio Masuoka, Tooshiba.
La memoria se proograma por medio de tunneling, en una capa de slicón óxidonitroso.
El proceso de borrado se da en bloques por tunnelig también, en un tiempo de 5ms. El tiempo de lectura es de 35ns y el de escritura es de 5ms. Posee una vida útil de 10000 ciclos. Una desventaja de esta memoria es el desgaste de la capa de óxidonitroso.
