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Primera memoria
Charles Babbage, “Padre de la computación”, diseñó la máquina analítica que poseía una memoria en donde los números podían ser almacenados para luego ser procesados. Esta tenía una capacidad para almacenar 1000 números de 50 dígitos cada uno. -
Tarjetas perforadas.
Se comienza a difundir conocer las tarjetas perforadoras. Los primeros en manufacturar esta tecnología a grandes niveles fue la empresa IBM. -
Memoria de Tambor.
Desarrollada por Gustav Tauschek, considerada una de las primeras memorias computacionales dado que cumplía el rol de memoria principal a la cual le eran suministrados los datos a través de tarjetas perforadas o cintas perforadas. Las ventajas eran la velocidad de escritura y lectura; las desventajas para los programadores era ingeniárselas para colocar los datos de manera que la memoria de tambor obtuviera el máximo desempeño posible. -
Z1
Memoria patentada por el científico Konrad Zuse, fabricada por una serie de láminas metálicas dispuestas de tal forma que hacían de condensadores, consistía en una memoria de 64 palabras en punto flotante las cuales podían ser escritas y leídas por la unidad de control. -
IBM y las tarjetas perforadas.
IBM ya tenían fabricando cerca de 5 a 10 millones de tarjetas perforadas por día. -
ABC
Atanasoff Berry Computer (ABC) ocupaba una memoria de almacenamiento dinámico similar a lo que son las memorias RAM actuales. Las memorias eran fabricadas con el uso de condensadores, debido a que esta tecnología proporcionaba el mayor beneficio costo/rendimiento. La estructura de esta memoria consistía básicamente en 2 tambores los cuales poseían una cierta cantidad de bandas y en cada banda se ubicaban los condensadores los cuales almacenaban los bits. -
Invención de la ROM.
Se crea la primera ROM (Read Only Memory), este chip era grabado una sola vez y luego no era posible modificar la información almacenada en el mismo. Se utilizaba el método “Mask programmed” para grabar la información en estos chips. -
Memorias de nucleo magnetico.
Basados en su componente principal (núcleo de ferrita), cumplían una función similar a la que realiza actualmente la memoria RAM a diferencia de que guardaba los resultados entregados por la unidad de procesos. -
Nacimiento de la PROM.
Wen Tsing Chow inventa la memoria PROM (Programmable Read Only Memory), fue inventada especialmente para el ejército de los Estados Unidos. Esta permitía almacenar información una sola vez y podía quedar almacenada si se le quitaba la energía eléctrica. Se programaba con el método “Mask programmed”, poseía fusibles internamente y los cuales eran quemados o no con voltajes de 12 a 20 voltios para representar el 0 y 1 respectivamente. -
8KB.
Hewlett-Packard había desarrollado una computadora con 8 Kb de capacidad. -
DRAM
En los laboratorios de IBM se desarrolla la DRAM, patentada por Robert Dennard, la cual consistía en tan solo un transistor y un condensador. -
Invención de la EPROM,
El ingeniero Dov Frohman inventa la EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory). Memoria del tipo no volátil, estaba formada por celdas FAMOS (Floating Gate Avalanche Injection Metal Oxide Semiconductor). Se programaba con pulsos eléctricos y se borraba a través de luz ultravioleta, el tiempo de borrado es alrededor de 20 minutos y puede almacenar información por más de 10 años. Tenía capacidades de 256 bytes hasta 1 Mb. -
Invención de la EEPROM.
George Perlegos inventa la memoria EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory). Memoria de tipo no volátil, era programada y borrada a través de pulsos eléctricos lo que permitía reducir el tiempo de programado y borrado a diferencia de la EPROM. Las celdas están formadas por transistores MOS y con estructura SAMOS. Tiene un tiempo de borrado y lectura de 1 s y 200 ns respectivamente. Puede ser borrada y reprogramada 100,000 veces. -
Invención de la memoria EEPROM FLASH.
Fujio Masuoka inventa la memoria EEPROM Flash. El método de borrado y programado es a través del efecto Tunneling de pulsos eléctricos. Tiene un tiempo de borrado y escritura de 5 ms, un tiempo de lectura de 35ns. Se borra por bloques de 1 a 1,024 bytes y tiene una vida útil de 10,000 ciclos. -
Macintosh 128K.
Apple, lanza la primera computadora personal con 128 KB de memoria, la llamada Macintosh 128K, la cual causa furor entre las personas siendo todo un éxito comercial, además nos da un indicio de que esto no para aquí, las computadoras cada vez se acercan más a los hogares y el desarrollo en las memorias particularmente continua, con las promesas de hasta 1 MB de capacidad. -
Memoria NOR.
Intel desarrolla la memoria flash tipo NOR, esta contenía una arquitecutra de transistores en paralelo y una de las ventajas principales era que podía ejecutar el código directamente. Se borra en bloques de 128 Kbytes en un tiempo de 5 s, tiene un tiempo de borrado y escritura de 100,000 ciclos. Una de las desventajas principales era la capacidad pequeña. -
Memoria Flash NAND.
Toshiba desarrolla la memoria flash de tipo NAND. Tenía una arquitectura de transistores en serie, se borraba en bloques de 32 Kbytes en 4ms. Un ciclo de borrado y programado de 1,000,000. Una ventaja principal es que puede llegar a tener cantidades grandes de almacenamiento, y una de las desventajas es que no puede ejecutar código directo como la NOR. -
FPM-RAM
FPM-RAM, contaba con dos velocidades de acceso que oscilan entre los 60 y 70 nanosegundos, para una mayor eficiencia se requería que la siguiente instrucción se encontrara en la misma fila que la anterior, es decir, tenía un acceso sequencial. -
EDO-RAM
Poseía una novedad, permitía ingresar nuevos datos a la vez que otros salían, lo que permitía una mejora en la velocidad de trabajo. Con tiempos de acceso entre los 70, 60 y 50 nanosegundos. -
DDR-S-RAM
Permitía la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un ciclo de reloj y poseía una capacidad de hasta 1 GB, además era capaz de trabajar en frecuencias de reloj de hasta los 133MHz. -
SDRAM
Se hace popular las SDRAM, tecnología de memoria de acceso aleatorio, surgiendo en orden cronológico la DDR y DDR2, las cuales mejoran de una versión a otra en cuanto a las velocidades de transferencia de datos y capacidades en un mismo dispositivo. -
DDR3
Mejora de su antecesora DDR2, cuenta con mayores capacidades en transferencia y memoria.
