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2016 BCE
Dual in-line package
Dual in-line package (DIP) es una forma de encapsulamiento, común en la construcción de circuitos integrados. -
2016 BCE
Single In-line Pin Package
Fueron los primeros módulos comerciales de memoria, de formato propietario, es decir, no había un estándar entre distintas marcas. -
2016 BCE
Rambus In-line Memory Module
Fueron otros módulos propietarios bastante conocidos, ideados por la empresa RAMBUS. -
2016 BCE
Single In-line Memory Module
Formato usado en computadoras antiguas. Tenían un bus de datos de 16 ó 32 bits. -
2016 BCE
Dual In-line Memory Module
usado en computadoras de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits. -
1997 BCE
Burst Extended Data Output RAM
Burst Extended Data Output RAM (BEDO-RAM) fue la evolución de la EDO-RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50 % mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK. -
1994 BCE
Extended Data Output RAM
Extended Data Output RAM (EDO-RAM) fue lanzada al mercado en 1994 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre FPM, su antecesora. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búfer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura. -
1946 BCE
Memorias RAM basadas en semiconductores de silicio
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria -
primeros tipos de memoria RAM
Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromagnético de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña. -
Memoria DRAM
una memoria DRAM de 1024 bytes, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos. -
Innovacion
En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. -
MOSTEK
MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16 pines. -
Aumento de velocidad
A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK. -
Evolución de la memoria RAM
es una line del tiempo relacionada a la historia de la evolucion de memoria RAM -
Fast Page Mode RAM
Fast Page Mode RAM (FPM-RAM) fue inspirado en técnicas como el Burst Mode usado en procesadores como el Intel 486.Se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas.
