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Evolución de la memoria ram

  • Memoria de Núcleos Magnéticos.

    Memoria de Núcleos Magnéticos.
    Fue uno de los primeros tipos de memoria ram, también conocida como memoria de toros o de ferrita. Desplazo a la memoria de tambor magnético, memorias de lineas de retardo el selectrón, etc
  • MK4096

    MK4096
    MOSTEK lanzo MK4096 de 4 Kb en un empaque de 16 pines mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. Contaba con un solo transistor de celda y con direccionamiento multiplexado.
  • SIMM

    SIMM
    Este formato elimino los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes impresos similares a los de la tarjeta de expansión tienen la misma distribución de pines.
  • FPM-RAM

    FPM-RAM
    Inspirado en tecnias como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel 486, se implanto en un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones.
  • EDO-RAM

    EDO-RAM
    Tiempos de accesos de 40/30 ns suponía una mejora sobre su antecesora FPM. La EDO también es capaz de enviar direcciones a contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado la eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.
  • BEDO-RAM

    BEDO-RAM
    Fue la evolución de la EDO y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997 Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a mas de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño de 50% mejor que la EDO
  • RD-RAM

    RD-RAM
    Se usa principalmente como módulos de memoria principal de RAM de ordenadores y otros dispositivos. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posesiones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo.
  • PC1600 DDR200

     PC1600 DDR200
    Velocidad de transferencia: 1600 MB/s
  • PC2-DDR266

    PC2-DDR266
    Velocidad de trasferencia: 2133 MB/s
  • PC2100-DDR 333

    PC2100-DDR 333
    Velocidad de trasferencia: Tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166 MHz y ofrece una tasa de trasferencia máxima de 2.7 GB/s
  • Period: to

    PC3200-DDR 400, PC4800-DDR 600, PC5300-DDR 667

    PC3200: Esta tecnología de memoria ram DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200 MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s.
    PC4800: Tecnología de memoria ram DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz con un bus de 150 MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.8 GB/s
    PC5300: Tecnología de memoria ram DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus de 166 MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/S
  • DDR3-1066

    DDR3-1066
    Velocidad de transferencia: Tecnología de memoria ram DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066 MHz con un bus de 133 MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s
  • DDR3-2000 (Rambus)

    DDR3-2000 (Rambus)
    Se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit. Se les conoció como módulos RIMM. Descontinuadas por problemas de paridad y otros inconvenientes que las hacían muy costosas.
  • DDR4 RAM

    DDR4 RAM
    DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisión doble de datos cuarta generación, para el uso con nuevas tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), cuentan con 288 terminales). También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.