Evolución de la memoria RAM

Timeline created by Ana_Contreras
  • 2,007 BCE

    DDR3 – 1800

    DDR3 – 1800
    Velocidad de transferencia de 14.40 GB/s @ 1800 MHz
  • 2,004 BCE

    PC3200 DDR400

    Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s.
  • 2,004 BCE

    DDR3-800

    DDR3-800
    Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son incompatibles con las DDR2, puesto que la muesca esta ubicada en un lugar diferente. Trabajan a un voltaje de 1.5V mientras que las DDR2 trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.
  • 2,003 BCE

    PC2100 DDR266

    Tecnologíia de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con bus de 166 MHz y ofrece una tasa de trasferencia máxima de 2.7GB/s.
  • 2,002 BCE

    PC2100- DDR266

    Velocidad de transferencia de 2133MB/S
  • 2,001 BCE

    PC1600 DDR200

    Velocidad de transferencia de 1600 MB/S
  • 1,999 BCE

    RD-RAM

    RD-RAM
    Por sus siglas RDRAM(Dynamic Random Access Memory) que significa, memoria dinámica de acceso aleatorio, tipo de tecnología de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando un circuito dinámico de refresco que, cada cierto periodo, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.
  • 1,998 BCE

    SDR-SDRAM

    SDR-SDRAM
    Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior.
  • 1,997 BCE

    BEDO-RAM

    BEDO-RAM
    Es una evolución de la EDO-RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO-RAM, la limitación de la BEDO-RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz.
  • 1,997 BCE

    DDR-SDRAM

    DDR-SDRAM
    Módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB.
    No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj
  • 1,995 BCE

    EDO-RAM

    EDO-RAM
    Lanzadas en 1995 y con tiempos de accesos de 40 a 30 ns.
    También era capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va a utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.
  • 1,988 BCE

    FPM-RAM

    FPM-RAM
    Usado en procesadores como intel 486, se implanto un modo direccionamiento en el que el controlador de una memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. El acceso a los bits de memoria se realiza por medios de coordenadas, fila y columna
  • 1,984 BCE

    Flash Memory

    Tipo de memoria que se utiliza principalmente para almacenamiento, pero actualmente windows vista nos dio la opción de utilizarla tambien como memoria RAM:
    Inventadas en 1984(ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas tambien en ese ao en el IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel y en 1988 Toshiva anunció el tipo de NAND en el ISSCC
  • 1,978 BCE

    SIMM

    SIMM
    El formato SIMM eliminó los pines metálicos dejando una áreas de cobre en uno de los bordes impresos similares a los que las tarjetas de expansión tienen la misma distribución de pines, los módulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Fueron muy populares desde principios de los 80´s hasta finales de los 90´s.
  • 1,975 BCE

    MK4096

    MK4096
    La memoria MK4096 de 4K de un solo transistor por celda y con direccionamiento multiplexado resultó del trabajo de Robert Proebsting, se dio cuenta que las celdas con un solo transistor y de 16 pines, era imposible acceder la información en una sola posición, enviando al mismo tiempo los datos de fila y columna a la matriz.
  • 1,949 BCE

    Memoria de núcleo magnético

    Memoria de núcleo magnético
    Uno de los primeros tipos de memoria RAM, se usada en muchos computadores, también conocida como memoria de toros o de núcleos de ferrita, hizo su aparición en 1950 desplazando tecnologías anteriores como la memoria de tambor magnético, lineas de retardo, selectrón, tubo williams, entre otros, eran baratas, fiables y rápidas.
    Constituida el espacio donde se almacenaba la información que se procesaba en la computadora, por lo cual era similar a lo que hoy conocemos como memoria RAM.
  • 1,946 BCE

    Memoria

    Memoria
    El computador ENIAC, tiene como memoria la utilización de válvulas electrónicas de vacío para la construcción de bi-estables.