ROM Evolution

By Kooeenie9

  • ROM (Read Only-Memory)

    ROM (Read Only-Memory)
    Esta memoria era grabada una única vez y no era posible modificar los datos almacenados.
    Se utilizaba el método conocido como "Mask programmed" para grabar la información.
    Tiempo de lectura: Mayor a 120 ns
    Tiempo de escritura: 1 us
    Tiempo de borrado: 1 s
    Vida útil: ilimitada
    Aplicación: Lectura de información y no de su estructura.

  • PROM (Programmable read-only memory)

    PROM (Programmable read-only memory)
    Esta memoria era grabada una única vez y no era posible modificar los datos almacenados.
    Se utilizaba el método conocido como "Fusible Ling" el cual quemaba un fusible cuando se quería dar el valor de 0. No se podía borrar la memoria.
    Tiempo de lectura: NA
    Tiempo de escritura: NA
    Tiempo de borrado: 0
    Vida útil: ilimitada
    Aplicación: Es utilizado para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROM ocuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos.

  • EPROM (Erasable and Porgrammable Read-Only Memoy)

    EPROM (Erasable and Porgrammable Read-Only Memoy)
    Mecanismo de Programación: Carga electrostática queda atrapada en la celda del transistor, y se coloca en el "floating gate" para almacenar 1.
    Mecanismo de Borrado: No posee mecanismo de borrado.
    Tiempo de lectura: Mayor a 150 ns
    Tiempo de escritura: 0.5 ms/byte
    Tiempo de borrado: 20 mins. aproximadamente
    Vida útil: 10 años
    Aplicación: Retener información durante 10 años y evitar que fuera borrado la información por la luz del sol.

  • EEPROM (Electrically Erasable and Reprogrammable)

    EEPROM (Electrically Erasable and Reprogrammable)
    Mecanismo de Programación: "Hot electron injection"
    Mecanismo de Borrado: Utiliza el efecto "tunneling" que transporta electrones en la capa aislante cuando se borra.
    Tiempo de lectura: 200 ns
    Tiempo de escritura: 100 milisegundos
    Tiempo de borrado: 1 segundo.
    Vida útil: 10 años
    Aplicación: Retener información durante 10 años y evitar que fuera borrado la información por la luz del sol.

  • FLASH

    FLASH
    Mecanismo de Programación: La carga sobre la "floating gate" estalla sobre la capa de ONO (oxinitruro de silicio) por medio de electrones de tunelización.
    Mecanismo de Borrado: Utiliza el efecto "tunneling" que transporta electrones en la capa aislante cuando se borra.
    Tiempo de lectura: 35 ns
    Tiempo de escritura: 5 milisegundos
    Tiempo de borrado: 5 milisegundo.
    Vida útil: 10 años
    Aplicación: Retener información durante 10 años y hacer que fuera portátil la informacion.