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Williams–Kilburn tube
Considerada a primeira forma de RAM, o Williams–Kilburn tube foi usado com sucesso em vários computadores antigos. -
Delay line memory
A delay line memory é uma forma de memória de computador, que foi usada em alguns dos primeiros computadores digitais. Como muitas formas modernas de memória de computador eletrónico, a delay line memory era uma memória atualizável, mas, em oposição à RAM moderna, a delay line memory era de acesso sequencial . -
Memória ótica de Mellon
A memória óptica da Mellon foi uma forma inicial de memória de computador inventada no Instituto Mellon (hoje parte da Universidade Carnegie Mellon) em 1951. O dispositivo usou uma combinação de materiais foto emissivos e fosforescentes para produzir um "loop de luz" entre duas superfícies. -
Selectron
O Selectron foi uma forma inicial de memória de computador digital desenvolvida por Jan A. Rajchman e seu grupo na Radio Corporation of America (RCA), sob a direção de Vladimir K. Zworykin. Era um tubo de vácuo que armazenava dados digitais como cargas eletrostáticas usando tecnologia semelhante ao dispositivo de armazenamento de tubos Williams. -
Intel 1103
O 1103 é um circuito integrado (IC) dinâmico de memória de acesso aleatório (DRAM) desenvolvido e fabricado pela Intel. Introduzido em outubro de 1970, o 1103 foi o primeiro DRAM IC disponível no mercado. Devido ao seu pequeno tamanho físico e preço baixo em relação à memória do núcleo magnético, substituiu o último em muitas aplicações. -
SIMM's
A memória SIMM, ou seja, Single In-line Memory Module, é um tipo de módulo de memória contendo RAM usada em computadores do início da década de 1980 até fins da década de 1990. Diferencia-se do DIMM (Dual In-line Memory Module), o módulo de memória predominante nos dias de hoje, pelo fato dos contatos em um SIMM serem redundantes em ambas as faces do módulo. Os SIMMs foram normatizados pelo padrão JEDEC JESD-21C. -
SDR SDRAM
No início dos anos 90, o clock de memória foi sincronizado através da introdução de memórias SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory), mas rapidamente atingiram o seu limite, uma vez que o controlador de memória apenas realizava uma leitura por ciclo. -
FPM-RAM
A “Fast Page Mode RAM” apresenta 486 pentes de 30 pinos, com um modo de página veloz onde há uma economia de tempo. Apresenta velocidades entre 60 e 70 ns, com uma largura de banda num sistema de 64-bits de 151 MB/s. -
EDORAM
A RAM EDO (Extended Data Output) é um tipo de chip de memória de acesso aleatório (RAM) que melhora o tempo de leitura da memória em microprocessadores mais rápidos, como o Intel Pentium. A EDO RAM foi inicialmente otimizada para o Pentium de 66 MHz. Esta é uma RAM com saída de dados estendida, com um LATCH adicionado a esta saída. -
DDR
A primeira geração de memórias DDR, lançada no ano de 2002, possui maior largura de banda do que a anterior SDR. Efetivamente, isso acontece porque a taxa de transferência é dobrada, sem necessidade de aumentar o clock de memória. Com o seu aparecimento, houve um aumento significativo no desempenho sobre a arquitetura tradicional. -
RDRAM
A RDRAM foi introduzida em 1999 pela Rambus, Inc. A tecnologia RDRAM era consideravelmente mais rápida que os modelos de memória mais antigos, como a DRAM síncrona (SDRAM). -
Direct RDRAM
Direct RDRAM, permitiu aumentar a velocidade para os 800MHz, em relação à Rambus DRAM, conferindo taxas de transferência (teóricas) de 3,2Gbps -
DDR2 SDRAM
O padrão DDR foi melhorado continuamente por forma a atender às necessidades de memória de alto desempenho. Implementadas em 2004, as memórias DDR2 sofreram melhorias de largura de banda, clock de memória e consumo de energia. -
DDR3 SDRAM
Em 2007 surgem as sucessoras das memórias DDR2. Essencialmente, a melhoria foi feita na base da anterior, consumo energético reduzido em cerca de 40%, buffer prefetch de 8 bits, etc. -
T-RAM
Thyristor RAM (T-RAM) é um tipo de memória de acesso aleatório datada de 2009, inventada e desenvolvida pela T-RAM Semiconductor, que parte dos projetos usuais de células de memória, combinando os pontos fortes da DRAM e SRAM: alta densidade e alta velocidade. -
DDR4 SDRAM
Lançadas em 2014, são bastante eficientes em termos energéticos, visto que operam a uma tensão de 1,2 V além de proporcionarem elevadas taxas de transferência. Foram adicionas algumas funções, como DBI (Data Bus Inversion), CRC (Cyclic Redundancy Check) e paridade CA, o que permitiu melhorar a integridade do sinal da memória DDR4, bem como a estabilidade de transmissão/acesso a dados. -
DDR5 SDRAM
Comparado ao seu antecessor DDR4 SDRAM, o DDR5 está planejado para reduzir o consumo de energia e ao mesmo tempo duplicar a largura de banda. O padrão, originalmente destinado a 2018, foi lançado em 14 de julho de 2020.
