-
1874 Rectificación por puntas de metal sobre cristales de sulfuros metálicos
Karl Ferdinan Braun (1850-1918) descubre que apoyando un conductor metálico sobre un cristal de galena o de pirita, el contacto tiene propiedades de conducción y rectificación.Este descubrimiento daría lugar al desarrollo de detectores de radio en 1906. -
1897 Emisión de electrones en un tubo de rayos catódicos
John Ambrose Fleming (1848-1945) desarrolló el diodo de vacío, capaz de ser empleado con cierta eficiencia en la detección de emisiones de radio. Aplicó para ello los conocimientos adquiridos con Edison y con Marconi. Los electrones emitidos por el cátodo caliente del diodo eran absorbidos por la tensión positiva de la placa. La tensión negativa de la placa producía que los electrones fueran rechazados, entonces la corriente cesaba. -
1906 Triodo
Robert von Lieben (1878-1913) y Lee de Forest (1873-1961) inventan por separado el triodo interponiendo una rejilla entre el cátodo y el ánodo de un válvula electrónica y observando que la tensión de esta respecto al cátodo modula el flujo de electrones entre cátodo y ánodo. El descubrimiento de este primer dispositivo electrónico activo es considerado por algunos como el nacimiento de la Electrónica. -
1914 Tiratrón
Para aumentar la corriente anódica del triodo de vacío se relleno de un gas favorecedor de la conducción como neón, xenón, vapor de mercurio y en las aplicaciones de alta tensión, hidrógeno. Asi es como nace el Tiratrón.
Aunque en el proceso difuso de su desarrollo han intervenido muchos estamentos y científicos. Irving Langmuir y a Albert Hull de General Electric fueron conocidos como los padres de la válvula de gas y los primeros en investigar la rectificación controlada hacia 1914 -
Period: to
1914-1939 Efecto Schottky. Barrera de potencial. Diodo Schottky
Walter Schottky descubre en 1914 la reducción de la función de trabajo por un campo eléctrico. En 1929 verifica experimentalmente la barrera de potencial en los contactos metal-semiconductor. En 1939 desarrolla las teorías de carga espacial y de capa límite de los rectificadores cristalinos. -
1915/16 Tetrodo
Posteriormente se construyen válvulas con más rejillas para combinar sus efectos y depurar el funcionamiento de la válvula: el Tetrodo de Walter Schottky (1886-1976) -
Period: to
1917 Multivibrador astable-- 1919 Multivibrador biestable
Henri Abraham y Eugène Bloch construyen con triodos el primer multivibrador astable en 1917 que oscilaba, dos años después, William Henry Eccles y F. W. Jordan realizan el biestable, un circuito capaz de almacenar y entregar información en lógica binaria. -
1926 Pentodo
Posteriormente se construyen válvulas con más rejillas para combinar sus efectos y depurar el funcionamiento de la válvula: El pentodo de Bernard D. H. Tellegen (1900-1990). -
Period: to
1947-1951 Transistor de punto de contacto, y diodo y transistor bipolares
12 de marzo de 1947: Teoría muy preliminar sobre la resistencia de las uniones P-N
24 de abril de 1947: Teoría de la difusión de la corriente de portadores minoritarios en una unión P-N polarizada inversamente
19 de mayo de 1947: Teoría de la corriente inversa en uniones PN incluyendo el efecto Zener
26 de junio de 1948, Segunda mitad del 48: Abril de 1949 y1950:
llevan a repetir la construcción con resultados suficientemente buenos,para impulsar el desarrollo práctico posterior
1951: Creación. -
1957 Diodo túnel
Es una variante de diodo de alta velocidad de transición entre los estados de corte y conducción, empleada en circuitos digitales rápidos y en circuitos de potencia de frecuencia alta y tensión de alimentación muy baja. -
1957 Rectificador controlado de silicio o SCR
La compañía General Electric desarrolla en 1957 un dispositivo de silicio de cuatro capas y tres uniones P-N capaz de bloqueo de tensión en ambos sentidos y de conducción saturada regenerativa en uno de ellos, con control del paso a conducción mediante un electrodo de puerta -
1960 Transistores FET y MOSFET modernos
Mucho antes de la invención de este transistor, el efecto de campo, es clecir, el cambio de conductancia en un sólido inducido por campo eléctrico transversal, fue objeto de intenso estudio por parte de muchos investigadores. Recuérdense los trabajos antedichos de Lilien feld y Heil. Recuérdese también cómo el transistor de unión puede considerarse un resulta do colateral de la búsqueda de un transistor FET eficiente. -
1960 Transistores FET y MOSFET modernos
En 1955 I. M. Ross propuso la inducción electrostática del canal mediante un electrodo emplazado en la vecindad de la zona de base y aislada de esta, idea que resultó verda deramente práctica varios años más tarde, cuando D. Kahng y M. M. Atalla consiguieron un material aislante adecuado, basado en el óxido de silicio (de ahí el nombre de Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor, o MOSFET). El trabajo se presentó en junio de 1960 -
1966 TRIAC -- GTO
Los de más incidencia en la Electrónica de Potencia, además del SCR, han sido el TRIAC (Triode AC semiconductor, tiristor de ini ciación a la conducción controlada en dos sentidos), patentado por William F. Gutzwiller, de General Electric, en 1966 y el GTO (tiristor de bloqueo controlado por puerta), probado en los "60" e introducido comercialmente en los "70". -
1971 Microprocesador
Intel comercializa el microprocesador 4004 que contenía 2.300 transistores y ejecutaba 60.000 operaciones por segundo, con una frecuencia de reloj de 108 kHz. Su potencia de cálculo se asemeja a la del primer ordenador de válvulas, el ENIAC: Muchos circuitos de control de la moderna Electrónica de Potencia. -
Period: to
Años 70-1988 IGBT
Hoy día el dispositivo más cercano al ideal es el IGBT (Insulated Gate Bipolar Transis tor), una combinación de transistor bipolar en su estructura principal y de FET en su región de puerta que combina ya el control de algunos miles de amperios, tensión de bloqueo de hasta unos 6.000 V, frecuencia de trabajo de varios y bajas necesidades de excitación de puerta. Los primeros IGBT, desarrollados por General Electric, datan de los años setenta y se popularizan en 1988 con Fuji.