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Descubrimieno de rectificación de onda de corriente alterna con cristales de galena
Karl Ferdinan Braun puso en contacto un hilo de plata con cristales de galena. Rectificó una onda de corriente alterna y redujo su frecuencia hasta la banda del sonido audible. Gracias a esto se dio el desarrollo de detectores de radio en 1906. -
Descubrimiento de emisión de electrones en un tubo de rayos catódicos
Joseph John Thomson descubrió la emisión de electrones en un tubo de rayos catódicos en vacío, se llamaron rayos catódicos ya que el rayo fluyó desde el cátodo hacia el ánodo. El 15 de febrero del mismo año, Karl Ferdinan Braun también construyó un tubo de rayos catódicos con con deflectores magnéticos. -
Desarrollo del diodo (válvula de vacío)
John Ambrose Fleming desarrolló el diodo de vacío aplicando conocimientos adquiridos con T. A. Edison y con Marconi, capaz de ser empleado en la detección de emisiones de radio. Los electrones emitidos por el cátodo caliente eran absorbidos por la tensión positiva de la placa, y con tensión negativa los electrones eran rechazados. -
Invención del triodo: audión (tubo de tres elementos)
Lee de Forest interpuso una rejilla entre el cátodo y el ánodo de una válvula electrónica, modulando el flujo de electrones. Este descubrimiento es considerado por algunos como el nacimiento de la Electrónica. -
Invención de la válvula de gas: tiratrón
Para aumentar la corriente anódica del triodo de vacío se lo rellenó con neón, xenón, vapor de mercurio y en la alta tensión hidrógeno, desarrollando así la válvula de gas, que derivó hacia una válvula rectificadora controlada, con variantes de cátodo frío y caliente. Se suele citar a Irving Langmuir y Albert Hull como los padres de la válvula de gas y los primeros en investigar la rectificación controlada. Los primeros tiratrones comerciales no aparecieron hasta 1928. -
Creación del tetrodo
Walter H. Schottky, para evitar que en la válvula triodo, la rejilla y la placa se comporten como un condensador, introdujo una segunda rejilla llamada pantalla, para que el dispositivo quede desdoblado en dos condensadores en serie. Así logró mejorar la amplificación en las frecuencias altas. -
Invención del multivibrador astable
Henri Abraham y Eugene Bloch construyeron con triodos el primer multivibrador astable, el cual poseía dos estados inestables en los que conmutaba y oscilaba a 1000Hz. -
Creación del multivibrador biestable
William Henry Eccles y F. W. Jordan desarrollaron el multivibrador biestable o flip-flop, podía almacenar y entregar información infomación en lógica binaria, capaz de permanecer en uno de dos estados posibles durante un tiempo indefinido en ausencia de perturbaciones. -
Desarrollo del pentodo
Ya que el tetrodo aumentaba la amplificación pero producía una emisión secundaria en la placa, causando una gran distorsión en las señales amplificadas, Gilles Holst y Bernardus Dominicus Hubertus Tellegen añadieron una tercera rejilla llamada supresora al dispositivo, además, la polarizaron correctamente y eliminaron el efecto indeseado. -
Creación de la primera patente del transistor de efecto de campo
Julius Edgar Lilienfeld patentó la teoría de funcionamiento del antecesor del transistor de efecto de campo, dicho elemento fue imposible de realizar en su momento por escasos desarrollos de tecnologías de fabricación. Posteriormente, en 1934, Oskar Heil también realizó su patente. -
Invención del diodo de selenio
De manera experimental se construyeron diodos rectificadores de potencia con selenio que llegaban a varios amperes y soportaban una tensión en inversa de unos 15V, para mayores voltajes se ponían diodos en serie, se comercializaron en Alemania. -
Creación del diodo Schottky
Walter H. Schottky, tras el descubrimiento de la reducción de la función de trabajo por un campo eléctrico en 1914, seguido por su hallazgo sobre la barrera de potencial en los contactos metal-semiconductor en 1929, desarrolló en 1939 los diodos Schottky, con menor caída de tensión en conducción y menor carga de recuperación que los diodos de unión P-N, son ideales para convertidores de alta frecuencia y baja tensión. -
Creación del ignitrón
Joseph Slepian inventó una válvula rectificadora de gas con cátodo de mercurio e ignición controlada para Westinghouse, alcanzó cientos de amperios y miles de voltios, con una caída de 15V, que fue pequeña en comparación a la tensión ánodo-cátodo y poseyó mejor rendimiento que los tiratrones. -
Desarrollo de computadora con válvulas (ENIAC)
John Presper Ecker y John Wiliam Mauchly construyeron el primer ordenador aplicado con 19000 válvulas y 1500 relés, además, consumia 150kW, ocupaba 140m² y pesaba 30 toneladas. Fue encargado por el ejército estadounidense para calcular tablas de tiro de proyectiles. -
Invención del transistor de contacto
John Bardeen y Walter Brattain lo consiguieron en los laboratorios Bell con un bloque de germanio, con dos contactos de oro muy espaciados sostenidos contra el mismo por un muelle, engancharon una pequeña tira de papel de oro sobre el vértice de un triángulo de plástico y cortaron cuidadosamente el oro en la punta del triángulo, produciendo dos contactos de oro aislados eléctricamente, un pequeño cambio en la corriente del primero, hacía un cambio más grande en la del segundo. -
Desarrollo del transistor de unión bipolar
Fue creado por William Shockley, convirtiéndose en el dispositivo preferido durante tres décadas en el diseño de circuitos discretos e integrados. -
Idea del transistor Darlington
Sidney Darlington inventó esta configuración al colocar los transistores bipolares en cascada, para que la corriente amplificada por un transistor pase por la base del siguiente. -
Invención del diodo túnel
Leo Esaki consiguió los diodos túnel al dopar los semiconductores mucho más intensamente que los diodos normales, logró alta velocidad de transición entre los estados de corte y conducción. Se empleó en circuitos digitales rápidos y en circuitos de potencia de frecuencia alta y tensión baja. Primero obtuvo un diodo de germanio, y uno de silicio al año siguiente. -
Desarrollo del SCR (Silicon Controlled Rectifier)
General Electric lanza un dispositivo de silicio de cuatro capas y tres uniones P-N, con capacidad de bloqueo de tensión en ambos sentidos y de conducción saturada regenerativa en uno de ellos. -
Creación del circuito integrado
Jack S. Kilby elaboró un nuevo dispositivo como un cuerpo de material semiconductor en el que todos sus componentes estaban integrados, tratándose de un dispositivo de germanio que integraba seis transistores en una misma base semiconductora para formar un oscilador de rotación de fase, siendo su primer cliente la fuerza aérea de los Estados Unidos. Posteriormente Robert Noyce adicionó metal en una capa final y eliminó algunas conexiones para resolver algunos problemas prácticos del circuito. -
Creación del MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)
Dawong Kahng y Martin M. Atalla, ingenieros en laboratorios Bell, presentaron un transistor con un material aislante basado en el óxido de silicio, de ahí su nombre. -
Creación del TRIAC (Triode AC semiconductor)
Fue patentado por William F. Gutzwiller de General Electric, creando así un tiristor de iniciación a la conducción controlada en dos sentidos. -
Desarollo del VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor)
Jun-ichi Nishizawa presenta un transistor con forma de V para solucionar el inconveniente del MOSFET al conseguir un flujo axial de cargas en lugar de transversal, para obtener el máximo de corriente de surtidor con la mínima resistencia. -
Invención del GTO (Gate Turn-Off switch)
Introducido por General Electric, capaz de encenderse por un solo pulso de corriente positiva en la terminal G, a la vez que puede ser apagado por un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. -
Invención del microprocesador Intel 4004
Fue lanzado en un paquete de 16 pines CERDIP, siendo de 4 bits, con 2300 transistores y siendo capaz de ejecutar 60000 operaciones por segundo, también con una máxima velocidad del reloj de 740kHz -
Invención del IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Bantval Jayant Baliga completó el proyecto como una combinación de transistor bipolar en su estructura principal y de FET en su región de puerta, combinando un control de miles de amperios, tensión de bloqueo de hasta 6000 voltios, alta frecuencia de trabajo y bajas necesidades de excitación de puerta.
