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Tipos de Memoria

  • Invención de ROM

    Invención de ROM
    Se crea la primera ROM (Read Only Memory), este chip era grabado una sola vez y luego no era posible modificar la información almacenada en el mismo. Se utilizaba el método “Mask programmed” para grabar la información en estos chips.
  • Period: to

    Línea de Tiempo ROM

  • Creación de la PROM

    Creación de la PROM
    PROM es el acrónimo en inglés de programmable read-only memory, que significa memoria de solo lectura programable. Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible, que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada una sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROM, o cuando los datos deben cambiar en muchos de los casos.
  • Creacón de la EPROM

    Creacón de la EPROM
    El ingeniero Dov Frohman inventa la EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory). Memoria del tipo no volátil, estaba formada por celdas FAMOS (Floating Gate Avalanche Injection Metal Oxide Semiconductor). Se programaba con pulsos eléctricos y se borraba a través de luz ultravioleta, el tiempo de borrado es alrededor de 20 minutos y puede almacenar información por más de 10 años. Tenía capacidades de 256 bytes hasta 1 MB.
  • Creación de la EEPROM

    Creación de la EEPROM
    Se inventa la memoria EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory). Memoria de tipo no volátil, era programada y borrada a través de pulsos eléctricos lo que permitía reducir el tiempo de programado y borrado a diferencia de la EPROM. Las celdas están formadas por transistores MOS y con estructura SAMOS. Tiene un tiempo de borrado y lectura de 1 s y 200 ns respectivamente. Puede ser borrada y reprogramada 100,000 veces.
  • Creación de la EEPROM Flash

    Creación de la EEPROM Flash
    La memoria flash —derivada de la memoria EEPROM— permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los dispositivos denominados memoria USB.