-
Creación de la memoria ROM
La Read Only Memory es una memoria de solo lectura. Es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrónicos, que permite solo la lectura de la información y no su escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de energía. -
Memoria PROM
Programmable Read Only Memory, se creó en 1956. Se programa con el método “Mask programmed". Su tiempo de lectura es menor a 100 ns y su tiempo de escritura es de aproximadamente 5 minutos -
MEMORIA EPROM
Erasable Programmable Read Only Memory, se creó en 1971. Memoria del tipo no volátil, estaba formada por celdas FAMOS. Se programaba con pulsos eléctricos y se borraba a través de luz ultravioleta. Su tiempo es de 25 a 200 ns, su tiempo de escritura de 5 minuto, su tiempo de borrado de 20 minutos y tiene una vida útil de 10 a 20 años. -
MEMORIA FLASH
Se inventó en 1984. El método de borrado y programado es a través del efecto Tunneling de pulsos eléctricos. Su tiempo de lectura es de 35 ns y su tiempo de borrado y lectura es de 5 ms. Su vida útil es de 10000 ciclos de escritura. -
MEMORIA EEPROM
Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory , se creó en 1984. Esta puede ser programada, borrada y r programada eléctricamente. Su tiempo de vida útil es de 10000 ciclos de escritura.
