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Memoria ROM
Read Only memory.
Memoria con un mecanismo de de programado y borrado con binario directamente en una placa de silicona mediante una mascara. La velocidad de lectura han variado con los años pero desde el 2007 toda la informacion se lee desde la RAM para mayor velocidad. En cuanto a la escritura, llega a los 15Mb/s. no se podía borrar datos de esta memoria. Su vida útil es de a lo máximo 4 años. -
Memoria PROM
Programmable Read-Only Memory.
Se programa aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales.
Mejora la velocidad de escritura y lectura de la memoria rom, aproximadamente un pulso por palabra de 10ms, pero igual que esa, no se puede borrar.
Se aplica para la microprogramacion, tablas de fusión, programas de sistemas, entre otros. -
Memoria EPROM
Erasable Programmable Read Only memory.
Esta compuesta por transistores de Puerta flotante, que es un material semiconductor. Se alteran sus celdas con alto voltaje para su programacion. Las velocidades de esta memoria llegan a pulso por palabra de datos de 50 ms.
Solo puede ser borrada por una fuerte luz ultravioleta.
Tiene un tiempo de vida util de 10 a 20 años. -
Memoria EEPROM
Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory.
Los datos y direcciones se programan en uno o dos pines.
Las velocidades de esta memoria pueden llegar desde los 100KHz hasta los 600KHz.
Tiene un tiempo de vida de aprox. 100 años y soporta hasta 100.000 ciclos de grabado y borrado. -
Memoria Flash
Memoria Flash.
La información se guarda en celdas que almacenan bits de información.
La velocidad de Escritura es de hasta 150 Mb/s, la de Lectura es de 200 Mb/s. La velocidad de borrado depende mucho del sistema en donde se borre.
La vida útil de una memoria USB entre los 10.000 y los 100.000 (incluso millones) de ciclos de escritura, lo que viene a significar un mímino de unos 30 años de resistencia a un ritmo de un ciclo de escritura/borrado diario. Sus usos son principalmente llevar la info.
