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Period: to
Núcleo Magnético
Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromagnético de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña. -
Intel 3101
Fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria -
MOSTEK
MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16 pines. -
Para finales de los 70
Los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban en zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito impreso -
FPM-RAM
Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos los más rápidos y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la CPU. Velocidad de transferencia: 200 MB/s. -
Extended Data Output RAM (EDO-RAM)
Con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre FPM, su antecesora. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va a utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búfer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura. -
Burst Extended Data Output RAM (BEDO-RAM)
fue la evolución de la EDO-RAM. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un 50 % de beneficios, mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.
